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商品コード:
SMSN

SiN 窒化シリコンメンブレンTEMグリッド

関連カテゴリ:
電子顕微鏡関連 > TEMグリッド(SiN, Si, SiOメンブレン)
窒化シリコンメンブレは化学的条件に耐え、イメージング
解像度と機械的強度の理想的なバランスを提供

窒化シリコンメンブレンTEMグリッドについて

特  徴
プラズマクリーニング:カーボングリッドと異なり、有機不純物を取り除き画質向上のために
プラズマクリーニング可能

均一性の向上:フィールド間のばらつきの低減
■ 耐熱温度> 1000℃:高温で動的プロセスが観察される環境TEMでの使用をサポート
過酷蒸着および化学的条件に耐える:イメージング解像度および機械的強度の理想的なバランスを提供
LPCVD、低ストレス(〜250MPa)、非化学量論的窒化シリコンを採用:平坦で絶縁性の疎水性表面を提供



アプリケーションガイド

  アモルファス
シリコン
多孔ナノ結晶
シリコン
窒化
シリコン
酸化
シリコン
標準
カーボン
薄膜
カーボン
メンブレン 5, 9, 15nm 30nm 5,10, 20, 50nm 20, 40, 100nm 20-50nm 5-10nm
イメージ*1 優れている 良い 有効 有効 有効 良い
プラズマ洗浄 不可 不可
物質解析
バックグラウンド
Si Si Si, N Si, O C, H C, H
熱安定性 ~600℃ ~600℃ ~1000℃ ~1000℃ ~400℃ ~400℃
化学安定性 強酸は避ける 強酸は避ける 優れている 有効 有効 有効
高ビーム電流*2 優れている 優れている 有効 有効 優れている 優れている
コンタミネーション
の可能性
カーボン カーボン
ナノスケールポア
マイクロスケールポア
有(ナノポア)
有(ナノ, マイクロポア)*3
バックグラウンド ナノ結晶
*1 気孔の上にサンプルがある場合、多孔性のSIグリッドは干渉するバックグラウンドなしのサンプルイメージを可能にします。
5nm非多孔/無孔シリコンメンブレングリッドは超薄カーボンコートグリッドより2倍以上色にじみが減少します。
*2 ビーム下の安定性は電子によって打たれたフィルムの劣化の可能性により決定されます。5nm非多孔/無孔シリコン
メンブレングリッドは超薄カーボンコートグリッドより2倍以上色にじみが減少します。純粋なSiは妨げになる結合形成が
ないため最も安定しています。SiO2 とSiNは電子の分子フィルム結合の妨げとフィルム劣化により崩壊されます。
*3 一部のSiN膜製品はナノおよびマイクロポアがあります。


メンブレン強度
1 atm(気圧) = 14.7 PSI
窒化シリコン膜厚 5 nm 10 nm 20nm 50 nm
9 windows   11.57±0.66 40+ 40+
9 small windows 37.30±3.08      
9 Large windows   6.13±2.00    
2 slots 6.53±0.24   14.73±2.61  
Single 25um 40+      
Single 100um       25.13±4.45
Single 500um     9.90±0.36 13.37±1.25
Single 1000um       7.80±0.29
Micropore Single 500um     5.37±0.37 10.13±0.52
Nanopore Single 500um     5.33±1.39  



 

窒化シリコンメンブレンTEMグリッド

SiN(Silicon Nitride) membrane TEM window grdis
窒化シリコン
メンブレン:5, 10, 20, 50 nm 






型番 メンブレン厚 ウィンドウ ウィンドウ数 フレーム厚 数量 価格
SN100-A05Q00 5nm 25 x 25um 1 100um 10/pk 55,000
APT100-Q00 膜無 25 x 25um 1 100um 10/pk 33,000
SN100-A05Q33A 5nm 50 x 50um(8)
50 x 100um(1)
9 100um 10/pk 55,000
SN100-A05L 5nm 50 x 1500um 2 100um 10/pk 55,000
SN100-A10Q33 10nm 100 x 100um(8)
100 x 350um(1)
9 100um 10/pk 49,500
SN100-A10Q33B 10nm 250 x 250um(8)
250 x 500um(1)
9 100um 10/pk 49,500
SN100-A15Q01
*グリッド径: 3.6mmØ
15nm 100 x 100um 1 100um 10/pk 44,000
SN100-A20Q05 20nm 500 x 500um 1 100um 10/pk 44,000
SN100-A20Q33 20nm 100 x 100um(8)
100 x 350um(1)
9 100um 10/pk 44,000
SN100-A50Q01 50nm 100 x 100um 1 100um 10/pk 33,000
SN100-A50Q05 50nm 500 x 500um 1 100um 10/pk 33,000
SN100-A50Q10 50nm 1000 x 1000un 1 100um 10/pk 33,000
SN100-A50Q33 50nm 100 x 100um(8)
100 x 350um(1)
9 100um 10/pk 33,000
SN200-A20Q025 20nm 250 x 250um(1) 1 200um 10/pk 45,000
SN200-A20Q05 20nm 500 x 500um 1 200um 10/pk 45,000
SN200-A50Q01 50nm 100 x 100um 1 200um 10/pk 33,000



 

マイクロポーラス窒化シリコンメンブレンTEMグリッド

2um Microporous SiN membrane TEM window grid

●2um
ポアが20または50nm厚窒化シリコンメンブレンに形成(2umポア- 1:1ピッチ)
さまざまなサンプルを浮遊状態にして観察 (例:グラフェン)
高傾斜断層撮影(トモグラフィー)と同様にCryoEM使用
●70度の角度では100umの薄くて斜角をつけられたシリコンフレームでウィンドウの
 中心の中でどんな回転配向からも~
50 50ミクロンの領域を使用できます

メンブレン: 窒化シリコン(アモルファス)
ポア径: 2um
ポア間隔: 2um(ポア中心-ポア中心間隔)
型番 メンブレン厚 ウィンドウ ウィンドウ数 フレーム厚 数量 価格
SN100-A20MP2Q05 20nm 500 x 500um 1 100um 10/pk 55,000
SN100-A50MP2Q05 50nm 500 x 500um 1 100um 10/pk 55,000



 

ナノポーラス窒化シリコンメンブレンTEMグリッド

Nanoporous SiN membrane TEM window grid
バックグラウンドフリー環境でのナノ粒子を浮遊状態にします。  
ナノ多孔性SiNメンブレンは、平均ポア径30 nmにまたがる粒子の画像化を可能にします

メンブレン: ナノポーラスア窒化シリコン(アモルファス) 
●20nm Low- stress SiNメンブレン 
●平均細孔径:30nm

●多孔率:約25%

 
型番 メンブレン厚 ウィンドウ ウィンドウ数 フレーム厚 数量 価格
SN100-P20Q05 20nm 500 x 500um 1 100um 10/pk 55,000



 

窒化シリコンメンブレンTEMスロットグリッド

SiN(Silicon Nitride) membrane TEM Slot grid
メージング中の振動の発生を低減
低振動は、断層撮影および高傾斜用途に特に重要です

スロットサイズ: 50um x 1000um x 2スロット

 
型番 メンブレン厚 スロット スロット数 フレーム厚 数量 価格
SN100-A05L 5nm 50 x 1000um 2 100um 10/pk 55,000
SiN 窒化シリコンメンブレンTEMグリッド