会社概要
Single Layer Graphene on Cu foil
単層グラフェン/銅フォイル
グラフェンフィルムは銅箔の上で成長し、銅の表面ステップおよび粒界にわたって連続的です。銅箔のエッチングは、ガラス、酸化シリコンあるいはプラスチックフィルムのような他の基板にグラフェン膜を転写すことを可能にします。
銅フォイル厚:20 um
グラフェンフィルムは銅箔の上で成長し、銅の表面ステップおよび粒界にわたって連続的です。銅箔のエッチングは、ガラス、酸化シリコンあるいはプラスチックフィルムのような他の基板にグラフェン膜を転写すことを可能にします。
銅フォイル厚:20 um
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| CVD-Cu-2x2 | 単層グラフェン銅フォイル 50 x 50mm | 1 | 45,000 |
| CVD-Cu-2x4 | 単層グラフェン銅フォイル 50 x 100mm | 1 | 75,000 |
| CVD-Cu-4x4 | 単層グラフェン銅フォイル 100 x 100mm | 1 | 130,000 |
Single/Double Layer Graphene on Cu foil
単層/二重層グラフェン蒸着銅フォイル
グラフェン膜は主に単分子層であり、10 - 30%の二層アイランドを有する。銅箔のエッチングはガラス、SiO2またはプラスチックフィルムなどの他の基板に転写することができます。
銅フォイル厚:20 um
グラフェン膜は主に単分子層であり、10 - 30%の二層アイランドを有する。銅箔のエッチングはガラス、SiO2またはプラスチックフィルムなどの他の基板に転写することができます。
銅フォイル厚:20 um
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| S-D-Cu-2x4 | 単層/二重層グラフェン銅フォイル 50 x 100mm | 1 | 75,000 |
Multilayer Graphene on Ni foil
多層グラフェン/ニッケルフォイル
多層グラフェンの膜厚は平均300 monolayers(105 nm)これらのグラフェン膜はNiフォイル、Ni面ステップと粒の境界を越えて連続的に成長
ニッケルフォイル厚:25 um
多層グラフェンの膜厚は平均300 monolayers(105 nm)これらのグラフェン膜はNiフォイル、Ni面ステップと粒の境界を越えて連続的に成長
ニッケルフォイル厚:25 um
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| CVD-Ni-FOIL-2x2 | 多層グラフェンニッケルフォイル 50 x 50mm | 1 | 65,000 |
CVD Graphene film on Ni/SiO/Si chip
グラフェン/ニッケル基板(Ni/SiO/Si)
ニッケル基板上のグラフェンは通常1-7層(平均4 monolayers)の厚さになります。それぞれの"パッチ"は、異なる厚さを有しているパッチワークのように見えます。同じパッチ内のグラフェン層が互いに相対的に整列しています。(グラファイトABスタッキング順序があります) 各パッチの大きさは、3～10 umになります。
グラフェン: 1-7 層(平均 4 層)
ウェハ: Ni/SiO on Siウェハ
ウェハ厚: 525 um
サイズ: 10 mm x 10 mm
ニッケル基板上のグラフェンは通常1-7層(平均4 monolayers)の厚さになります。それぞれの"パッチ"は、異なる厚さを有しているパッチワークのように見えます。同じパッチ内のグラフェン層が互いに相対的に整列しています。(グラファイトABスタッキング順序があります) 各パッチの大きさは、3～10 umになります。
グラフェン: 1-7 層(平均 4 層)
ウェハ: Ni/SiO on Siウェハ
ウェハ厚: 525 um
サイズ: 10 mm x 10 mm
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| CVD-TP10 | グラフェン/ニッケル基板 10 x 10mm | 10/pk | 65,000 |
| CVD-TP20 | グラフェン/ニッケル基板 10 x 10mm | 20/pk | 100,000 |
CVD Graphene film on Wafer
グラフェン on Ni/SiO/Siウェハ 100mm (4 in) Wafer
ニッケル上のグラフェンは通常1-7層(平均4 monolayers)の厚さになります。それぞれの"パッチ"は、異なる厚さを有しているパッチワークのように見えます。同じパッチ内のグラフェン層が互いに相対的に整列しています。(グラファイトABスタッキング順序があります) 各パッチの大きさは、3～10 umになります。
グラフェン: 1-7 層(平均 4 層)
ウェハ: Ni/SiO on Siウェハ
ウェハ厚: 525 um
ウェハサイズ: 100 mm径
ニッケル上のグラフェンは通常1-7層(平均4 monolayers)の厚さになります。それぞれの"パッチ"は、異なる厚さを有しているパッチワークのように見えます。同じパッチ内のグラフェン層が互いに相対的に整列しています。(グラファイトABスタッキング順序があります) 各パッチの大きさは、3～10 umになります。
グラフェン: 1-7 層(平均 4 層)
ウェハ: Ni/SiO on Siウェハ
ウェハ厚: 525 um
ウェハサイズ: 100 mm径
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| CVD-04 | グラフェン/Ni/SiO/Si(4インチウェハ) 100mm | 1/pk | 100,000 |
Graphene Transfer Kit
グラフェン トランスファーキット
熱剥離テープでグラフェンを転写するための手順は簡単です。しかし、連続的な被覆を得ることは困難です。連続的被覆を必要としない場合には熱剥離テープが有用です。熱剥離テープを用いることで残留物は低いです。しかしながら、約70%の被覆率でグラフェンは連続していません。PMMA法で行う場合、軽度のコンタミネーションはありますが99%の被覆率で高品質の連続的なグラフェンを得ることができます。
キット構成
熱剥離テープ 200 mm x 200 mm: 2シート
単層グラフェン銅フォイル 50 x 50 mm: 1枚
グラフェン/ニッケル/SiO/Si基板 10mm x 10 mm x 525um: 20枚
グラフェントランスファーインストラクション
熱剥離テープでグラフェンを転写するための手順は簡単です。しかし、連続的な被覆を得ることは困難です。連続的被覆を必要としない場合には熱剥離テープが有用です。熱剥離テープを用いることで残留物は低いです。しかしながら、約70%の被覆率でグラフェンは連続していません。PMMA法で行う場合、軽度のコンタミネーションはありますが99%の被覆率で高品質の連続的なグラフェンを得ることができます。
キット構成
熱剥離テープ 200 mm x 200 mm: 2シート
単層グラフェン銅フォイル 50 x 50 mm: 1枚
グラフェン/ニッケル/SiO/Si基板 10mm x 10 mm x 525um: 20枚
グラフェントランスファーインストラクション
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| GTT-KIT | グラフェントランスファーキット | 1式 | 98,000 |
