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GaN on サファイアウェハ
商品コード:
GANW

GaN on サファイアウェハ

関連カテゴリ:
高機能材料 > 2D結晶材料
高機能材料 > Wafer
電子顕微鏡関連 > 基板(石英, サファイア, ITO, FTO, AZO, SiC, GaN)
Gallium Nitride (GaN) on Sapphire (0001)
Mg, Fe, Si, Nonドープ及び N & Pタイプ窒化ガリウム on サファイアウェハ

Pタイプ(Mgドープ) GaN 4um窒化ガリウム/サファイア

Pタイプ(Mgドープ) GaN 4um窒化ガリウム/サファイア(0001)
Mg-doped P-type GaN 4 um Gallium Nitride Template on Sapphire (0001)
 
導電タイプ: Pタイプ(Mgドープ)
寸法: 50.8 mm +/- 0.2 mm(2インチの直径)
GaNの厚さ: 4.5 +/- 0.5 um
使用可能領域: > 90%
GaNの方向: A軸に対するC面(0001)のオフ角0.2±0.1
GaNオリエンテーションフラット: (1-100)+/- 0.2度、長さ16.0 +/- 1.0 mm
総厚さの変動: <15 um
抵抗率(300K): 〜10 Ohm-cm
転位密度: <5x108 cm-2
キャリア濃度: > 6x1016 cm-3
サファイア基板の厚さ: 430 +/- 25 um
サファイア基板配向: M軸に対するC面(0001)のオフ角0.2±0.1
サファイア平行平面: (11-20)0±0.2°、長さ16.0 +/- 1.0 mm
基板構造: GaN /サファイア(0001)
研磨: 片面研磨(SSP), 
両面研磨(SSP)
 
型番 品名 サイズ 数量 価格
GANW-0207 Pタイプ(Mgドープ) GaN窒化ガリウム/サファイア
片面研磨
2 in 1 65,000
GSNW-0248 Pタイプ(Mgドープ) GaN窒化ガリウム/サファイア
両面研磨
2 in 1 72,000



 
GaN on サファイアウェハ

半絶縁性Feドープ GaN 2um窒化ガリウム/サファイア

半絶縁性Feドープ GaN 2um窒化ガリウム/サファイア(0001)
Semi-Insulating Fe-doped GaN 2 um Gallium Nitride Template on Sapphire
(0001)




 
型番 GANW-0203 GANW-0246
サイズ 50.8 mm +/- 0.1 mm(2インチ直径) 100 mm +/- 0.1 mm(4インチ直径)
導電タイプ 半絶縁
ドープ Fe compensated(Iron-doped) 
Feドーピング濃度 1019 cm−3
GaN厚 1.7〜2.0ミクロン(通常の厚さ1.8 um)
使用可能領域 >90%
そり +/- 40 um未満 +/- 60 um未満
配向 C平面(0001)+/- 0.5度
オリエンテーション
フラット
(1-100)+/- 0.5、長さ16.0 +/- 1.0 mm (1-100)+/- 0.5、長さ30.0 +/- 1.0 mm
総基板厚変動 <15um <25um
抵抗率(300K) > 1x107 Ohm-cm
転位密度 <5x108 cm-2
基板構造 サファイア上のGaN(0001)
サファイア厚 430 +/- 25 um 650 +/- 25 um
サファイア
基板配向
C面(0001)M軸に対するオフ角0.2±0.1
サファイア
配向平面
(11-20)0±0.2
基板構造 GaN /サファイア(0001)
研磨 片面研磨(SSP), Ra <0.5 nm, CMP, Epi-ready
価格 135,000 200,000



 
GaN on サファイアウェハ

Nタイプ(Siドープ) GaN 20um窒化ガリウム/サファイア

Nタイプ(Siドープ) GaN 20um窒化ガリウム/サファイア(0001)
Si-doped N-type GaN 20um Gallium Nitride Template on Sapphire (0001)
 
導電タイプ: Nタイプ(Siドープ)
寸法: 50.8 mm +/- 0.1 mm(2インチ直径)
GaNの厚さ: 20 +/- 2 um
使用可能な領域: > 90%
配向: C平面(0001)+/- 0.5度
オリエンテーションフラット: (1-100)+/- 0.5度、16.0 +/- 1.0 mm
サファイア基板の総厚さのばらつき: <15 um
抵抗率(300K): <0.05Ω・cm
移動度: 〜200 cm2 / V・s
転位密度: <5x108 cm-2
キャリア濃度: > 1x1018 cm-3
表面粗さRa: <0.5 nm, Epi-ready
サファイア基板の厚さ: 430 +/- 25 um
サファイア基板配向: M軸に対するC面(0001)のオフ角0.2±0.1
サファイア平行平面: (11-20)0±0.2°、長さ16.0 +/- 1.0 mm
基板構造: サファイア上のGaN(0001)
研磨: 片面研磨(SSP)

 
型番 品名 サイズ 数量 価格
GANW-0205 Nタイプ(Siドープ) GaN 20um窒化ガリウム/サファイア
片面研磨
2 in 1 83,000



 
GaN on サファイアウェハ

Nタイプ(Siドープ) GaN 4um窒化ガリウム/サファイア

Nタイプ(Siドープ) GaN 4um窒化ガリウム/サファイア(0001)
Si-doped N-type GaN 4um Gallium Nitride Template on Sapphire (0001)





 
型番 GANW-0204(片面研磨)
GANW-0223(両面研磨)
GANW-0237(片面研磨)
サイズ 50.8 mm +/- 0.1 mm(2インチ直径) 100 mm +/- 0.1 mm(4インチ直径)
導電タイプ Nタイプ(Siドープ)
GaN厚 4.5 +/- 0.5 um
使用可能領域 >90%
そり +/- 40 um未満 +/- 60 um未満
オリエンテーション
フラット
(1-100)+/- 0.5、長さ16.0 +/- 1.0 mm (1-100)+/- 0.5、長さ30.0 +/- 1.0 mm
総基板厚変動 <15um <25um
抵抗率(300K) <0.01 Ohm-cm(標準値0.007 Ohm-cm)
転位密度 <5x108 cm-2
基板構造 サファイア上のGaN(0001)
サファイア厚 430 +/- 25 um 650 +/- 25 um
サファイア
基板配向
C面(0001)M軸に対するオフ角0.2±0.1
サファイア
配向平面
(11-20)0±0.2
基板構造 GaN /サファイア(0001)
研磨 片面研磨(SSP), Ra <0.5 nm, CMP, Epi-ready 片面研磨(SSP), Ra <0.5 nm, CMP, Epi-ready
価格 GANW-0204(片面研磨):¥53,000
GANW-0223(両面研磨):¥57,000
GANW-0237(片面研磨):¥173,000



 
GaN on サファイアウェハ

Nタイプ(アンドープ) GaN 20um窒化ガリウム/サファイア

Nタイプ(アンドープ) GaN 20um窒化ガリウム/サファイア(0001)
Undoped N-Type GaN 20 um Gallium Nitride Template on Sapphire (0001)
 
導電タイプ: N型(アンドープ)
寸法: 50.8 mm +/- 0.1 mm(2インチ直径)
GaNの厚さ: 20 +/- 2 um
使用可能な領域: > 90%
GaN配向: C面(0001)A軸に対するオフ角0.2±0.1
GaNオリエンテーションフラット: (1-100)+/- 0.2度、長さ16.0 +/- 1.0 mm
キャリア濃度: <5x1017 cm-3
抵抗率(300K): <0.5 Ohm・cm
移動度: 〜300 cm2 / V・s
転位密度: <5x108 cm-2
表面粗さRa: <0.5 nm, Epi-ready
サファイア基板の厚さ: 430 +/- 25 um
サファイア基板配向: M軸に対するC面(0001)のオフ角0.2±0.1
サファイア配向平面: 11-20)0±0.2度、長さ16.0 +/- 1.0 mm
研磨: 片面研磨(SSP)
 
型番 品名 サイズ 数量 価格
GANW-0206 Nタイプ(アンドープ) GaN 20um窒化ガリウム/サファイア
片面研磨
2 in 1 98,000

 

 
GaN on サファイアウェハ

Nタイプ(アンドープ) GaN 4um窒化ガリウム/サファイア

Nタイプ(アンドープ) GaN 4um窒化ガリウム/サファイア(0001)
Undoped N-Type GaN 4 um Gallium Nitride Template on Sapphire (0001)





 
型番 GANW-0201(片面研磨)
GANW-0208(両面研磨)
GANW-0213(片面研磨)
サイズ 50.8 mm +/- 0.1 mm(2インチ直径) 100 mm +/- 0.1 mm(4インチ直径)
導電タイプ Nタイプ(アンドープ)
GaN厚 4.5 +/- 0.5 um
使用可能領域 >90%
そり +/- 40 um未満 +/- 60 um未満
GaN配向 C面(0001)A軸に対するオフ角0.2±0.1
オリエンテーション
フラット
(1-100)+/- 0.5、長さ16.0 +/- 1.0 mm (1-100)+/- 0.5、長さ30.0 +/- 1.0 mm
総基板厚変動 <15um <25um
抵抗率(300K) <0.5 Ohm-cm
転位密度 <5x108 cm-2
キャリア濃度
(ドーピング濃度)
<5x1017 cm-3 > 2x1018 cm-3
移動度 〜300 cm2/V・s  >200 cm2/ V・s 
表面AFM RMS <0.5 nm、CMP研磨、Epi-ready  
基板構造 サファイア上のGaN(0001)
サファイア厚 430 +/- 25 um 650 +/- 25 um
サファイア
基板配向
C面(0001)M軸に対するオフ角0.2±0.1
サファイア
配向平面
(11-20)0±0.2
基板構造 GaN /サファイア(0001)
研磨 Ra <0.5 nm, CMP, Epi-ready
価格 GANW-0201(片面研磨):¥53,000
GANW-0208(両面研磨):¥57,000
GANW-0213(片面研磨):¥173,000


 
GaN on サファイアウェハ