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GaN単結昌基板
商品コード:
GAN

GaN単結昌基板

関連カテゴリ:
高機能材料 > 2D結晶材料
電子顕微鏡関連 > 基板(石英, サファイア, ITO, FTO, AZO, SiC, GaN)
Gallium Nitride (GaN) Single Crystal Substrates
Fe, Ge, Si, Nonドープ N型窒化ガリウム単結晶

転位密度が低く(105/cm2のオーダー)、周期的な欠陥のない均一な表面を備えた高品質のGaN結晶基板を提供します。 これらの高品質のGaN結晶は、90%以上の使用可能面積を持っています。
 

GaN単結晶: Feドープ半絶縁

Feドープ 半絶縁 窒化ガリウム単結晶(GaN), C面(0001)
Fe-Doped Semi-Insulating Gallium Nitride Single Crystal C Plane (0001)

導電率タイプ: 半絶縁
サイズ: 10.0 mm x 10.5 mm
厚さ: 350 +/- 25 um
使用可能面積: > 90%
配向: C平面(0001), M軸に向けたオフ角度<1-100> 0.35°+/- 0.15°
総厚さの変動: <15 um
そり: <20 um
抵抗率(300K): > 106 Ohm-cm
Feドーピング濃度: 〜3×1018 cm-3
転位密度: 5x105 cm-2〜3x106 cm-2
研磨:
片面研磨(SSP) Gaフェイスポリッシュ, 前面:Ra <0.2 nm, Epi-ready
 
型番 品名 数量 価格
GA-0220 半絶縁Feドープ 窒化ガリウム単結晶 1 100,000



 
GaN単結昌基板

GaN単結晶: N型 Geドープ

Nタイプ Geドープ 窒化ガリウム単結晶(GaN), C面(0001)
Ge-doped N-type Gallium Nitride Single Crystal C plane (0001)

導電タイプ: N型Geドープ
サイズ: 10.0 mm x 10.5 mm
厚さ: 350 +/- 25 um
使用可能面積: > 90%
配向: C平面(0001), M軸に向かってオフ角度<1-100> 0.35°+/- 0.15°
総厚さの変動: <15 um
そり: <20 um
抵抗率(300K): <0.05 Ohm-cm
キャリア濃度: 1e18cm-3
移動度: 220 cm2/V*s
転位密度: 5x105 cm-2〜3x106 cm-2
研磨: 
片面研磨(SSP) Gaフェイスポリッシュ, 前面:Ra <0.2 nm, Epi-ready
 
型番 品名 数量 価格
GA-0215 N型Geドープ 窒化ガリウム単結晶 1 100,000



 
GaN単結昌基板

GaN単結晶: N型 Siドープ

Nタイプ Siドープ 窒化ガリウム単結晶(GaN), C面(0001)
Si-Doped N-Type Gallium Nitride Single Crystal C Plane (0001)

導電タイプ: N型Siドープ
サイズ: 10.0 mm x 10.5 mm
厚さ: 350 +/- 25 um
使用可能面積: > 90%
配向: C平面(0001), M軸に向けたオフ角度<1-100> 0.35°+/- 0.15°
総厚さの変動: <15 um
そり: <20 um
抵抗率(300K): <0.05 Ohm-cm
キャリア濃度: 1e18cm-3
移動度: 220 cm2/V*s
転位密度: 5x105 cm-2〜3x106 cm-2
研磨: 片面研磨(SSP) Gaフェイスポリッシュ, 前面:Ra <0.2 nm, Epi-ready
 
型番 品名 数量 価格
GA-0216 N型Siドープ 窒化ガリウム単結晶 1 100,000



 
GaN単結昌基板

GaN単結晶: N型アンドープ

Nタイプ アンドープ 窒化ガリウム単結晶(GaN) , C面(0001)
Undoped, N-type, Gallium Nitride Single Crystal Substrate C plane (0001)

導電タイプ: N型アンドープ
サイズ: 10.0 mm x 10.5 mm
厚さ: 350 +/- 25 um
使用可能エリア: > 90%
配向: C平面(0001)、M軸に向けたオフ角度<1-100> 0.35°+/- 0.15°
総厚さの変動: <15 um
そり: <20 um
抵抗率(300K): <0.5 Ohm-cm
キャリア濃度: 1e17cm-3
移動度: 500 cm2/V.s)
転位密度: 5x105 cm-2〜3x106 cm-2
研磨: 研磨面:Ra <0.2 nm, Epi Ready

 
型番 品名 数量 価格
GA-0218-SSP アンドープ Nタイプ 窒化ガリウム単結晶
(片面研磨)
1 75,000
GA-0214-DSP アンドープ Nタイプ 窒化ガリウム単結晶
(両面研磨)
1 80,000



 
GaN単結昌基板

Free-Standing GaN単結晶: N型アンドープ (20-21) Plane

(20-21)面 N型アンドープ 自立窒化ガリウム(GaN)単結晶
(20-21) Plane N-type undoped Free-Standing Gallium Nitride (GaN) Single Crystal


導電タイプ: N型アンドープ
配向: (20-21)面
寸法: 5.0 mm x 10 mm +/- 0.2 mm
厚さ: 350 +/- 25 um
使用可能な領域: > 90%
総厚さの変動: <15 um
そり: <20 um
抵抗率(300K): <0.5 Ohm.cm
キャリア濃度: 1e17cm-3
移動度: 500 cm2/V*s
転位密度: <5x105 cm-2
研磨: 前面 Ra <0.5 nm, Epi-ready

 
型番 品名 数量 価格
GA-0234 (20-21)面 アンドープ Nタイプ
自立窒化ガリウム(GaN)単結晶
1 150,000



 
GaN単結昌基板

Free-Standing GaN単結晶: N型アンドープ, (11-20) A Plane

(11-20)A面  N型アンドープ 自立窒化ガリウム(GaN)単結晶
A plane (11-20) Undoped N-type Free Standing Gallium Nitride
Single Crystal


導電タイプ: N型アンドープ
配向: C軸に向けた角度A面(11-20)のオフ角度-1 +/- 0.2°
寸法: 5 mm x 10 mm +/- 0.2 mm
厚さ: 350 +/- 25 um
使用可能な領域: > 90%
総厚さ変動(TTV): <15 um
そり: <20 um
抵抗率(300K): <0.5 Ohm.cm
キャリア濃度: 1E17cm-3
移動度: 500 cm2/V*s)
転位密度: <5x105 cm-2
研磨: 前面Ra <0.5 nm, Epi-ready

 
型番 品名 数量 価格
GA-0219 (11-20) A面 Nタイプ アンドープ
自立窒化ガリウム(GaN)単結晶
1 145,000



 
GaN単結昌基板

Free-Standing GaN単結晶: N型アンドープ, (1-100) M Plane

(1-100)M面 N型アンドープ 自立窒化ガリウム単結晶
M plane (1-100) Undoped N-type Free Standing Gallium Nitride
Single Crystal


導電タイプ: N型アンドープ
配向: M面(1-100), C軸に向けたオフ角度-1 +/- 0.2°
導電型: N型アンドープ
寸法: 5.0 mm x 10 mm +/- 0.2 mm
厚さ: 350 +/- 25 um
使用可能な領域: > 90%
総厚さの変動: <15 um
そり: <20 um
抵抗率(300K): <0.5 Ohm.cm
キャリア濃度: 1e17cm-3
移動度: 500 cm2/(V*s)
転位密度: <5x105 cm-2
研磨: 前面Ra <0.5 nm, Epi-ready

 
型番 品名 数量 価格
GA-0217 (1-100) M面 Nタイプ アンドープ
自立窒化ガリウム(GaN)単結晶
1 145,000



 
GaN単結昌基板

Free-Standing GaN単結晶: N型アンドープ, Non-Polar

ノンポーラ アンドープN型 窒化ガリウムGaN単結晶
Non-Polar Undoped N-Type Gallium Nitride GaN Single Crystal

導電タイプ: N型アンドープ
寸法: 5.0 mm x 10 mm +/- 0.2 mm
厚さ: 350 +/- 25 um
使用可能な領域: > 90%
配向: 無極性面
総厚さの変動: <15 um
そり: <20 um
抵抗率(300K): <0.5 Ohm-cm
キャリア濃度: 1e17cm-3
移動度: 500 cm2/(V*s)
転位密度: <5x105 cm-2
研磨: 前面Ra <0.5 nm, Epi-ready

 
型番 品名 数量 価格
GA-0235 ノンポーラ N型アンドープ
自立窒化ガリウム(GaN)単結晶
1 150,000

 
GaN単結昌基板